IRFB4229

IRFB4229. C (pol.): 4560pF. Custo): 390pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Diodo Trr (mín.): 190 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Amplificador de áudio classe D 300W-500W (meia ponte). Id(im): 180A. DI (T=100°C): 33A. DI (T=25°C): 46A. Idss (máx.): 1mA. IDss (min): 20uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 330W. On-resistência Rds On: 38m Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 30 ns. Td(ligado): 18 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -40...+175°C. Tensão Vds(máx.): 250V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 02:25.