IRFB9N60A

IRFB9N60A. C (pol.): 1400pF. Custo): 180pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 530 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Dynamic dv/dt Rating. Id(im): 37A. DI (T=100°C): 5.8A. DI (T=25°C): 9.2A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 170W. On-resistência Rds On: 0.75 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 30 ns. Td(ligado): 13 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -50...+150°C. Tensão Vds(máx.): 600V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Spec info: Comutação de alta velocidade . Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 06:25.