Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos

IRFB9N65A

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5 - 9 3.65€ 4.49€
10 - 24 3.46€ 4.26€
25 - 36 3.27€ 4.02€
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Conjunto de 1

IRFB9N65A. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Dynamic dv/dt Rating. DI (T=100°C): 5.4A. DI (T=25°C): 8.5A. Idss (máx.): 8.5A. Pd (dissipação de energia, máx.): 167W. On-resistência Rds On: 0.93 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 650V. Quantidade em estoque atualizada em 16/01/2025, 22:25.

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