IRFB4019

IRFB4019. C (pol.): 800pF. Custo): 74pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Diodo Trr (mín.): 64 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Parâmetros principais otimizados para áudio Classe D. Id(im): 51A. DI (T=100°C): 12A. DI (T=25°C): 17A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 20uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 80W. On-resistência Rds On: 80m Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 12 ns. Td(ligado): 7 ns. Tecnologia: MOSFET de áudio digital. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -40...+175°C. Tensão Vds(máx.): 150V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4.9V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 50. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 12/01/2025, 23:25.