IRFB4228

IRFB4228. C (pol.): 4530pF. Custo): 550pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Diodo Trr (mín.): 76 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Chave PDP. Id(im): 330A. DI (T=100°C): 59A. DI (T=25°C): 83A. Idss (máx.): 1mA. IDss (min): 20uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 330W. On-resistência Rds On: 12m Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 24 ns. Td(ligado): 18 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -40...+175°C. Tensão Vds(máx.): 150V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 16/01/2025, 22:25.