IRFB4115

IRFB4115. Custo): 490pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Diodo Trr (mín.): 86 ns. Tipo de transistor: MOSFET. DI (T=100°C): 74A. DI (T=25°C): 104A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 20uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 380W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 18 ns. Td(ligado): 41 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 150V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminais: 3. Peso: 1.99g. C (pol.): 5270pF. Id(im): 420A. On-resistência Rds On: 0.0093 Ohms. Função: High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS, High Speed Power Switching. Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 50. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 16/01/2025, 22:25.