IRFB4110PBF

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1 - 1	2.03€	2.50€
2 - 2	1.93€	2.37€
3 - 4	1.83€	2.25€
5 - 9	1.73€	2.13€
10 - 19	1.69€	2.08€
20 - 29	1.64€	2.02€
30 - 232	1.58€	1.94€

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Conjunto de 1

IRFB4110PBF. C (pol.): 9620pF. Custo): 670pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Diodo Trr (mín.): 50 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Chave PDP. Id(im): 670A. DI (T=100°C): 130A. DI (T=25°C): 60.4k Ohms. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 20uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 370W. On-resistência Rds On: 3.7m Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 25 ns. Td(ligado): 78 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 100V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Peso: 1.99g. Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 50. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 16/01/2025, 22:25.

Documentação técnica