IRFIBC30G

IRFIBC30G. C (pol.): 660pF. Custo): 86pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 400 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 10A. DI (T=100°C): 1.5A. DI (T=25°C): 2.5A. Idss (máx.): 500uA. IDss (min): 100uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 35W. On-resistência Rds On: 2.2 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 35 ns. Td(ligado): 11 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 600V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2V. Função: Switching. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 16/01/2025, 20:25.