Quantidade | sem IVA | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 1.36€ | 1.67€ |
5 - 9 | 1.29€ | 1.59€ |
10 - 24 | 1.23€ | 1.51€ |
25 - 49 | 0.88€ | 1.08€ |
50 - 99 | 0.86€ | 1.06€ |
100 - 249 | 0.84€ | 1.03€ |
250 - 518 | 0.80€ | 0.98€ |
Quantidade | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.36€ | 1.67€ |
5 - 9 | 1.29€ | 1.59€ |
10 - 24 | 1.23€ | 1.51€ |
25 - 49 | 0.88€ | 1.08€ |
50 - 99 | 0.86€ | 1.06€ |
100 - 249 | 0.84€ | 1.03€ |
250 - 518 | 0.80€ | 0.98€ |
IRFD9120PBF. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: DIP4. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 4. Marcação do fabricante: IRFD9120PBF. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -1A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.6 Ohms @ -0.6A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -4V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 9.6 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 21 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 390pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 1.3W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C. Quantidade em estoque atualizada em 16/01/2025, 20:25.
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