Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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IRFI840G

IRFI840G
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IRFI840G. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: transistor de potência MOSFET . Corrente máxima de drenagem: 4.6A. On-resistência Rds On: 0.85 Ohm 40W. Carcaça: TO-220-F. Tipo de transistor: MOSFET. Proteção GS: diodo . Id(im): 18A. DI (T=100°C): 2.9A. DI (T=25°C): 4.6A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. On-resistência Rds On: 0.85 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 55 ns. Td(ligado): 14 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 500V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Tensão da fonte de drenagem (Vds): 500V. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 06:25.

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Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Regulador de comutação. DI (T=100°C): 4A. DI (T=25°C): 8A. Idss (máx.): 8A. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. On-resistência Rds On: 0.85 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Tipo MOS (TT.MOSV). Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão Vds(máx.): 500V. Quantidade por caixa: 1
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