TLP181. CTR: 100...600 %. Carcaça: SO-4. Corrente do coletor: 50mA. Diodo FI Courant (pico): 1A. Diodo SE: 50mA. Função: GaAs Ired e Foto-Transistor. Habitação (conforme ficha técnica): 11-4C1. Ic(pulso): 1A. Marcação na caixa: P181G. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD). Número de terminais: 4. Pd (dissipação de energia, máx.): 150mW. RoHS: sim. Saída: saída de transistor. Spec info: Entrada AC-DC, adaptador AC, placa de interface de E/S. Temperatura operacional: -55...+100°C. Tensão de saturação VCE(sat): 0.2V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. Tensão limite do diodo: 1.15V. Tf (tipo): 3us. Tr: 2us. VECO: 7V. VRRM: 3750V. Produto original do fabricante: Toshiba. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 15:50