Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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Semicondutores Transistores FETs e MOSFETs de canal N

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Transistor de canal N, 3A, 100uA, 3.7 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V - 2SK2700. Transistor de canal N, 3A, 100uA, 3.7 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V. DI (T=25°C): 3A. Idss (máx.): 100uA. On-resistência Rds On: 3.7 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão Vds(máx.): 900V. C (pol.): 750pF. Custo): 70pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Diodo Trr (mín.): 1100 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 9A. Marcação na caixa: K2700. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 110 ns. Td(ligado): 55 ns. Tecnologia: Transistor de efeito de campo. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Função: Alta velocidade, comutação de alta tensão, conversores DC/DC. Proteção GS: sim. Quantidade em estoque atualizada em 20/04/2025, 20:25.

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Transistor de canal N, 5A, 100uA, 2.3 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V. DI (T=25°C): 5A. Idss (máx.): 100uA. On-resistência Rds On: 2.3 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão Vds(máx.): 900V. C (pol.): 1200pF. Custo): 20pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Diodo Trr (mín.): 1300 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 15A. Marcação na caixa: K2717. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 45W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 200 ns. Td(ligado): 90 ns. Tecnologia: Transistor de efeito de campo. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Função: Alta velocidade, comutação de alta tensão, conversores DC/DC. Proteção GS: sim
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