Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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2SB1560

2SB1560
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2SB1560. Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: NF/L. Ganho máximo de hFE: 5000. Corrente do coletor: 10A. Pd (dissipação de energia, máx.): 100W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3P. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 160V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 150V. Spec info: transistor complementar (par) 2SD2390. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 00:25.

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MN2488-MP1620

MN2488-MP1620

Transistor Darlington?: sim. Material semicondutor: silício. FT: 55 MHz. Função: par de transisto...
MN2488-MP1620
Transistor Darlington?: sim. Material semicondutor: silício. FT: 55 MHz. Função: par de transistores complementares. Ganho mínimo de hFE: 5000. Corrente do coletor: 10A. Pd (dissipação de energia, máx.): 150W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-218. Tipo de transistor: PNP & NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 160V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
MN2488-MP1620
Transistor Darlington?: sim. Material semicondutor: silício. FT: 55 MHz. Função: par de transistores complementares. Ganho mínimo de hFE: 5000. Corrente do coletor: 10A. Pd (dissipação de energia, máx.): 150W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-218. Tipo de transistor: PNP & NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 160V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
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2SB1560-SKN

2SB1560-SKN

Transistor Darlington?: 1. Quantidade por caixa: 2. Material semicondutor: silício. FT: 55 MHz. Fun...
2SB1560-SKN
Transistor Darlington?: 1. Quantidade por caixa: 2. Material semicondutor: silício. FT: 55 MHz. Função: hFE 5000. Corrente do coletor: 10A. Ic(pulso): A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 100W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-3PN ( 2-16C1B ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PN ( MT-100 ). Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -...+150°C. Vcbo: 160V. Tensão de saturação VCE(sat): 2.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 150V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) 2SD2390. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
2SB1560-SKN
Transistor Darlington?: 1. Quantidade por caixa: 2. Material semicondutor: silício. FT: 55 MHz. Função: hFE 5000. Corrente do coletor: 10A. Ic(pulso): A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 100W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-3PN ( 2-16C1B ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PN ( MT-100 ). Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -...+150°C. Vcbo: 160V. Tensão de saturação VCE(sat): 2.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 150V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) 2SD2390. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
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