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Transistor de canal N, 2.3A, 2.8A, 250uA, 0.075 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 55V - IRFL024N

Transistor de canal N, 2.3A, 2.8A, 250uA, 0.075 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 55V - IRFL024N
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Quantidade sem IVA IVA incl.
1 - 4 0.75€ 0.92€
5 - 9 0.72€ 0.89€
10 - 24 0.68€ 0.84€
25 - 49 0.64€ 0.79€
50 - 99 0.63€ 0.77€
100 - 181 0.56€ 0.69€
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Transistor de canal N, 2.3A, 2.8A, 250uA, 0.075 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 55V - IRFL024N. Transistor de canal N, 2.3A, 2.8A, 250uA, 0.075 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 55V. DI (T=100°C): 2.3A. DI (T=25°C): 2.8A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.075 Ohms. Carcaça: SOT-223 ( TO-226 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-223. Tensão Vds(máx.): 55V. C (pol.): 400pF. Custo): 145pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 35 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 11.2A. IDss (min): 25uA. Equivalentes: IRFL024NPBF. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 2.1W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 22.2 ns. Td(ligado): 8.1 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 20/04/2025, 10:25.

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