IRFL024N

IRFL024N. C (pol.): 400pF. Custo): 145pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 35 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 11.2A. DI (T=100°C): 2.3A. DI (T=25°C): 2.8A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Equivalentes: IRFL024NPBF. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 2.1W. On-resistência Rds On: 0.075 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 22.2 ns. Td(ligado): 8.1 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: SOT-223 ( TO-226 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-223. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 55V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 02:25.