IRFL4105PBF

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Quantidade	sem IVA	IVA incl.
1 - 4	1.18€	1.45€
5 - 9	1.13€	1.39€
10 - 24	1.07€	1.32€
25 - 49	0.83€	1.02€
50 - 99	0.82€	1.01€
100 - 249	0.80€	0.98€
250 - 359	0.79€	0.97€

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10 - 24	1.07€	1.32€
25 - 49	0.83€	1.02€
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Conjunto de 1

IRFL4105PBF. RoHS: sim. C (pol.): 660pF. Custo): 230pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 55 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 30A. DI (T=100°C): 3A. DI (T=25°C): 5.2A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. IGF: 660pF. Número de terminais: 4. Pd (dissipação de energia, máx.): 2.1W. On-resistência Rds On: 0.045 Ohms. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 19 ns. Td(ligado): 7.1 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: SOT-223 ( TO-226 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-223. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 55V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 16/01/2025, 13:25.

Documentação técnica