Transistores

C (pol.): 370pF. Custo): 140pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 56 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 68A. DI (T=100°C): 12A. DI (T=25°C): 17A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 45W. On-resistência Rds On: 0.075 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 19 ns. Td(ligado): 4.9 ns. Tecnologia: HEXFET® Power MOSFET. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 55V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção GS: NINCS

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: D-PAK. Carcaça (padrão JEDEC): TO-252. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: FR024N. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 17A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.075 Ohms @ 10A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 4.9 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 19 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 370pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 45W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: D-PAK. Carcaça (padrão JEDEC): TO-252. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: FR024N. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 14A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.075 Ohms @ 10A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 4.9 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 19 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 370pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 45W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

C (pol.): 180pF. Custo): 80pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 100 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 17A. DI (T=100°C): 2.7A. DI (T=25°C): 4.3A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 25W. On-resistência Rds On: 0.54 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 15 ns. Td(ligado): 6.9ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): D-PAK TO-252AA. Tensão Vds(máx.): 100V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: D-PAK. Carcaça (padrão JEDEC): TO-252. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRFR110PBF. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 4.3A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.54 Ohms @ 2.6A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 6.9ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 15 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 180pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 2.5W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

C (pol.): 1300pF. Custo): 410pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 65 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 160A. DI (T=100°C): 31A. DI (T=25°C): 44A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 107W. On-resistência Rds On: 0.027 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 47 ns. Td(ligado): 7.3 ns. Tecnologia: HEXFET® Power MOSFET. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Temperatura operacional: -55...+155°C. Tensão Vds(máx.): 55V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2V. Função: Resistência ultrabaixa, comutação rápida. Proteção GS: NINCS

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: D-PAK. Carcaça (padrão JEDEC): TO-252. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: FR1205. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 44A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.027 Ohms @ 26A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 7.3 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 47 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 1300pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 107W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: D-PAK. Carcaça (padrão JEDEC): TO-252. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: FR1205N. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 6.6A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.21 Ohms @ 5.6A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 4.5 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 32 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 330pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 48W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: D-PAK. Carcaça (padrão JEDEC): TO-252. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: FR220N. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.6 Ohms @ 5A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 6.4 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 20 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 300pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 43W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor N MOSFET. DI (T=100°C): 2A. DI (T=25°C): 3.1A. Idss (máx.): 3.1A. Pd (dissipação de energia, máx.): 42W. On-resistência Rds On: 1.8 Ohms. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: HEXFET. Habitação (conforme ficha técnica): D-PAK TO-252AA. Tensão Vds(máx.): 400V

C (pol.): 2030pF. Custo): 470pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 70 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 280A. DI (T=100°C): 49A. DI (T=25°C): 71A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 20uA. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 140W. On-resistência Rds On: 0.011 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 43 ns. Td(ligado): 13 ns. Tecnologia: HEXFET® Power MOSFET. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 55V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Spec info: AUTOMOTIVE MOSFET. Função: Resistência ultrabaixa, comutação rápida. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 2330pF. Custo): 460pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 29 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 340A. DI (T=100°C): 61A. DI (T=25°C): 86A. Idss (máx.): 150uA. IDss (min): 1uA. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 79W. On-resistência Rds On: 5.2m Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 15 ns. Td(ligado): 12 ns. Tecnologia: HEXFET® Power MOSFET. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 30 v. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 2.25V. Vgs(th) mín.: 1.35V. Spec info: AUTOMOTIVE MOSFET. Função: Resistência ultrabaixa, impedância de porta ultrabaixa. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 640pF. Custo): 160pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 130 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 60A. DI (T=100°C): 12A. DI (T=25°C): 16A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 79W. On-resistência Rds On: 0.115 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 37 ns. Td(ligado): 6.4 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): D-PAK TO-252AA. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 100V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: td(on) 7ns. Id(im): 100A. DI (T=100°C): 19A. DI (T=25°C): 27A. Idss: 0.025mA. Idss (máx.): 27A. Pd (dissipação de energia, máx.): 68W. On-resistência Rds On: 0.045 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Habitação (conforme ficha técnica): D-PAK TO-252AA. Tensão Vds(máx.): 55V

Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 8A. DI (T=100°C): 1.5A. DI (T=25°C): 2.4A. Idss: 0.025mA. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 42W. On-resistência Rds On: 3 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Habitação (conforme ficha técnica): D-PAK TO-252AA. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 500V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 1200pF. Custo): 520pF. Tipo de canal: P. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 71ms. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 110A. DI (T=100°C): 22A. DI (T=25°C): 31A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Marcação na caixa: IRFR5305. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 110W. On-resistência Rds On: 0.065 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 39 ns. Td(ligado): 14 ns. Tecnologia: HEXFET ® Power MOSFET. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 55V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 650pF. Custo): 270pF. Tipo de canal: P. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 64A. DI (T=100°C): 11A. DI (T=25°C): 18A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Equivalentes: IRFR5505TRLPBF, IRFR5505TRPBF. Pd (dissipação de energia, máx.): 57W. On-resistência Rds On: 0.11 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 20 ns. Td(ligado): 12 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): D-PAK TO-252AA. Tensão Vds(máx.): 55V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 270pF. Custo): 170pF. Tipo de canal: P. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 80 ns. Tipo de transistor: FET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 20A. DI (T=100°C): 3.2A. DI (T=25°C): 5.1A. Idss (máx.): 500uA. IDss (min): 100uA. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 25W. On-resistência Rds On: 0.50 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 9.6 ns. Td(ligado): 11 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 60V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção GS: NINCS

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: D-PAK. Carcaça (padrão JEDEC): TO-252. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRFR9014PBF. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -5.1A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.5 Ohms @ -3.1A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -4V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 11 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 9.6 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 270pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 2.5W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

C (pol.): 570pF. Custo): 360pF. Tipo de canal: P. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 100us. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 35A. DI (T=100°C): 5.6A. DI (T=25°C): 8.8A. Idss (máx.): 500uA. IDss (min): 100uA. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 42W. On-resistência Rds On: 0.28 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 15 ns. Td(ligado): 13 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 60V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 350pF. Custo): 170pF. Tipo de canal: P. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 47 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 44A. DI (T=100°C): 8A. DI (T=25°C): 11A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 38W. On-resistência Rds On: 0.175 Ohms. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 23 ns. Td(ligado): 13 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 55V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: D-PAK. Carcaça (padrão JEDEC): TO-252. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: FR9024N. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -11A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.175 Ohms @ -6.6A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -4V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 13 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 23 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 350pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 38W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: D-PAK. Carcaça (padrão JEDEC): TO-252. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: FR9024N. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -11A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.175 Ohms @ -6.6A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -4V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 13 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 23 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 350pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 38W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: D-PAK. Carcaça (padrão JEDEC): TO-252. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRFR9024PBF. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -8.8A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.28 Ohms @ -5.3A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -4V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 13 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 15 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 570pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 2.5W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Tipo de canal: P. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor MOSFET de canal P. DI (T=100°C): 3.6A. DI (T=25°C): 5.6A. Idss (máx.): 5.6A. Pd (dissipação de energia, máx.): 42W. On-resistência Rds On: 0.6 Ohms. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: HEXFET. Habitação (conforme ficha técnica): D-PAK TO-252AA. Tensão Vds(máx.): 100V