IRFR110

IRFR110. C (pol.): 180pF. Custo): 80pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 100 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 17A. DI (T=100°C): 2.7A. DI (T=25°C): 4.3A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 25W. On-resistência Rds On: 0.54 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 15 ns. Td(ligado): 6.9ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): D-PAK TO-252AA. Tensão Vds(máx.): 100V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 16/01/2025, 13:25.