Quantidade | sem IVA | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 0.88€ | 1.08€ |
5 - 9 | 0.84€ | 1.03€ |
10 - 24 | 0.79€ | 0.97€ |
25 - 49 | 0.75€ | 0.92€ |
50 - 99 | 0.73€ | 0.90€ |
100 - 169 | 0.67€ | 0.82€ |
Quantidade | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 0.88€ | 1.08€ |
5 - 9 | 0.84€ | 1.03€ |
10 - 24 | 0.79€ | 0.97€ |
25 - 49 | 0.75€ | 0.92€ |
50 - 99 | 0.73€ | 0.90€ |
100 - 169 | 0.67€ | 0.82€ |
Transistor de canal P, 8.8A, 500uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 60V - IRFR9024. Transistor de canal P, 8.8A, 500uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 60V. DI (T=25°C): 8.8A. Idss (máx.): 500uA. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Tensão Vds(máx.): 60V. C (pol.): 570pF. Custo): 360pF. Tipo de canal: P. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 100us. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 35A. DI (T=100°C): 5.6A. IDss (min): 100uA. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 42W. On-resistência Rds On: 0.28 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 15 ns. Td(ligado): 13 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 20/04/2025, 14:25.
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