Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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2SC2238. Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Corrente do coletor: 1.5A. Pd (dissipação de energia, máx.): 25W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220. Tipo de transistor: NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 160V. Quantidade por caixa: 1. Spec info: transistor complementar (par) 2SA968. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 00:25.

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Custo): 30pF. Material semicondutor: silício. FT: 100MHz. Ganho máximo de hFE: 200. Ganho mínimo de hFE: 60. Corrente do coletor: 1.5A. Ic(pulso): 3A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 25W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 180V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 160V. Vebo: 6V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Função: Comutação de alta tensão, amplificador de potência AF. Spec info: transistor complementar (par) 2SA1011. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
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