NTD2955-1G

NTD2955-1G. C (pol.): 500pF. Custo): 150pF. Tipo de canal: P. Diodo Trr (mín.): 50 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 18A. DI (T=25°C): 12A. Idss (máx.): 100uA. IDss (min): 10uA. Marcação na caixa: NT2955. Pd (dissipação de energia, máx.): 55W. On-resistência Rds On: 0.155 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 26 ns. Td(ligado): 10 ns. Tecnologia: Power MOSFET. Carcaça: TO-251 ( I-Pak ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-251 ( I-Pak ). Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 60V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Quantidade por caixa: 1. Spec info: ID pulse 36A/10ms. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 04:25.