IRFR3505

IRFR3505. C (pol.): 2030pF. Custo): 470pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 70 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 280A. DI (T=100°C): 49A. DI (T=25°C): 71A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 20uA. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 140W. On-resistência Rds On: 0.011 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 43 ns. Td(ligado): 13 ns. Tecnologia: HEXFET® Power MOSFET. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 55V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Spec info: AUTOMOTIVE MOSFET. Função: Resistência ultrabaixa, comutação rápida. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 14/01/2025, 12:25.