Quantidade | sem IVA | IVA incl. |
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1 - 4 | 0.98€ | 1.21€ |
5 - 9 | 0.93€ | 1.14€ |
10 - 24 | 0.88€ | 1.08€ |
25 - 49 | 0.83€ | 1.02€ |
50 - 99 | 0.81€ | 1.00€ |
100 - 174 | 0.74€ | 0.91€ |
Quantidade | U.P | |
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1 - 4 | 0.98€ | 1.21€ |
5 - 9 | 0.93€ | 1.14€ |
10 - 24 | 0.88€ | 1.08€ |
25 - 49 | 0.83€ | 1.02€ |
50 - 99 | 0.81€ | 1.00€ |
100 - 174 | 0.74€ | 0.91€ |
IRFR024N. C (pol.): 370pF. Custo): 140pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 56 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 68A. DI (T=100°C): 12A. DI (T=25°C): 17A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 45W. On-resistência Rds On: 0.075 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 19 ns. Td(ligado): 4.9 ns. Tecnologia: HEXFET® Power MOSFET. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 55V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 02:25.
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