Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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SUD15N06-90L

SUD15N06-90L
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SUD15N06-90L. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 30A. DI (T=100°C): 12A. DI (T=25°C): 15A. Idss (máx.): 15A. Pd (dissipação de energia, máx.): 37W. On-resistência Rds On: 0.05 Ohms. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 15 ns. Td(ligado): 7 ns. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Tensão Vds(máx.): 60V. Número de terminais: 3. Tecnologia: (D-S) 175°C MOSFET, Logic Level. Quantidade por caixa: 1. Quantidade em estoque atualizada em 12/01/2025, 22:25.

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C (pol.): 370pF. Custo): 140pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener ....
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C (pol.): 370pF. Custo): 140pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 56 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 68A. DI (T=100°C): 12A. DI (T=25°C): 17A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 45W. On-resistência Rds On: 0.075 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 19 ns. Td(ligado): 4.9 ns. Tecnologia: HEXFET® Power MOSFET. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 55V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção GS: NINCS
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