IRFU024N

IRFU024N. C (pol.): 370pF. Custo): 140pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 56 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 68A. DI (T=100°C): 12A. DI (T=25°C): 17A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 45W. On-resistência Rds On: 0.075 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 19 ns. Td(ligado): 4.7 ns. Tecnologia: HEXFET® Power MOSFET. Carcaça: TO-251 ( I-Pak ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-251AA ( I-PAK ). Tensão Vds(máx.): 55V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Função: Resistência ultrabaixa, comutação rápida. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 02:25.