Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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IRFR9024N. C (pol.): 350pF. Custo): 170pF. Tipo de canal: P. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 47 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 44A. DI (T=100°C): 8A. DI (T=25°C): 11A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 38W. On-resistência Rds On: 0.175 Ohms. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 23 ns. Td(ligado): 13 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 55V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 02:25.

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C (pol.): 350pF. Custo): 170pF. Tipo de canal: P. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 47 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 44A. DI (T=100°C): 8A. DI (T=25°C): 11A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 38W. On-resistência Rds On: 0.175 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 23 ns. Td(ligado): 15 ns. Tecnologia: HEXFET® Power MOSFET. Carcaça: TO-251 ( I-Pak ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-251AA ( I-PAK ). Tensão Vds(máx.): 55V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS
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