IRFR9014

IRFR9014. C (pol.): 270pF. Custo): 170pF. Tipo de canal: P. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 80 ns. Tipo de transistor: FET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 20A. DI (T=100°C): 3.2A. DI (T=25°C): 5.1A. Idss (máx.): 500uA. IDss (min): 100uA. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 25W. On-resistência Rds On: 0.50 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 9.6 ns. Td(ligado): 11 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 60V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 16/01/2025, 13:25.