IRFR3709Z

IRFR3709Z. C (pol.): 2330pF. Custo): 460pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 29 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 340A. DI (T=100°C): 61A. DI (T=25°C): 86A. Idss (máx.): 150uA. IDss (min): 1uA. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 79W. On-resistência Rds On: 5.2m Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 15 ns. Td(ligado): 12 ns. Tecnologia: HEXFET® Power MOSFET. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 30 v. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 2.25V. Vgs(th) mín.: 1.35V. Spec info: AUTOMOTIVE MOSFET. Função: Resistência ultrabaixa, impedância de porta ultrabaixa. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 16/01/2025, 13:25.