IRFR1205

IRFR1205. C (pol.): 1300pF. Custo): 410pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 65 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 160A. DI (T=100°C): 31A. DI (T=25°C): 44A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 107W. On-resistência Rds On: 0.027 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 47 ns. Td(ligado): 7.3 ns. Tecnologia: HEXFET® Power MOSFET. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Temperatura operacional: -55...+155°C. Tensão Vds(máx.): 55V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2V. Função: Resistência ultrabaixa, comutação rápida. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 16/01/2025, 13:25.