IRFP27N60KPBF

IRFP27N60KPBF. C (pol.): 4660pF. Custo): 460pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 620 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: SMPS MOSFET, Low Gate Charge. Id(im): 110A. DI (T=100°C): 18A. DI (T=25°C): 27A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 50uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 500W. On-resistência Rds On: 0.18 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 43 ns. Td(ligado): 27 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 600V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 12/01/2025, 23:25.