Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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IRFPC60. C (pol.): 3900pF. Custo): 440pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 610 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Fast Switching, Dynamic dv/dt Rating. Id(im): 64A. DI (T=100°C): 6A. DI (T=25°C): 16A. Idss (máx.): 500uA. IDss (min): 100uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 280W. On-resistência Rds On: 0.4 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 110 ns. Td(ligado): 19 ns. Tecnologia: Power MOSFET. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 600V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 06:25.

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