Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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Semicondutores Transistores FETs e MOSFETs de canal N

Transistor de canal N, 6A, 12A, 100uA, 0.50 Ohms, TO-3P ( TO3P ), TO-3P, 600V - 2SK2699

Transistor de canal N, 6A, 12A, 100uA, 0.50 Ohms, TO-3P ( TO3P ), TO-3P, 600V - 2SK2699
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1 - 4 4.31€ 5.30€
5 - 9 4.09€ 5.03€
10 - 24 3.88€ 4.77€
25 - 49 3.66€ 4.50€
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Transistor de canal N, 6A, 12A, 100uA, 0.50 Ohms, TO-3P ( TO3P ), TO-3P, 600V - 2SK2699. Transistor de canal N, 6A, 12A, 100uA, 0.50 Ohms, TO-3P ( TO3P ), TO-3P, 600V. DI (T=100°C): 6A. DI (T=25°C): 12A. Idss (máx.): 100uA. On-resistência Rds On: 0.50 Ohms. Carcaça: TO-3P ( TO3P ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3P. Tensão Vds(máx.): 600V. C (pol.): 2600pF. Custo): 270pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Diodo Trr (mín.): 460 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Chopper Regulator, DC-DC Converter and Motor Drive. Id(im): 48A. Marcação na caixa: K2699. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 150W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 65 ns. Td(ligado): 45 ns. Tecnologia: Transistor de efeito de campo. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção GS: sim. Quantidade em estoque atualizada em 20/04/2025, 11:25.

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Transistor de canal N, TO-247, 8A, 13A, 50mA, 0.48 Ohms, TO-247, 600V, 0.55 Ohms, 600V. Carcaça: TO...
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Transistor de canal N, TO-247, 8A, 13A, 50mA, 0.48 Ohms, TO-247, 600V, 0.55 Ohms, 600V. Carcaça: TO-247. DI (T=100°C): 8A. DI (T=25°C): 13A. Idss (máx.): 50mA. On-resistência Rds On: 0.48 Ohms. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Tensão Vds(máx.): 600V. On-resistência Rds On: 0.55 Ohms. Tensão da fonte de drenagem (Vds): 600V. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 570 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Id(im): 40A. IDss (min): 1mA. Marcação na caixa: W13NK60Z. Pd (dissipação de energia, máx.): 160W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 61 ns. Td(ligado): 22 ns. Tecnologia: Zener-Protected SuperMESH]Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3V. Tipo de transistor: transistor de potência MOSFET . Corrente máxima de drenagem: 13A. Potência: 150W. Número de terminais: 3. Spec info: Capacidade dv/dt EXTREMAMENTE ALTA . Proteção GS: sim
STW13NK60Z
Transistor de canal N, TO-247, 8A, 13A, 50mA, 0.48 Ohms, TO-247, 600V, 0.55 Ohms, 600V. Carcaça: TO-247. DI (T=100°C): 8A. DI (T=25°C): 13A. Idss (máx.): 50mA. On-resistência Rds On: 0.48 Ohms. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Tensão Vds(máx.): 600V. On-resistência Rds On: 0.55 Ohms. Tensão da fonte de drenagem (Vds): 600V. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 570 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Id(im): 40A. IDss (min): 1mA. Marcação na caixa: W13NK60Z. Pd (dissipação de energia, máx.): 160W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 61 ns. Td(ligado): 22 ns. Tecnologia: Zener-Protected SuperMESH]Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3V. Tipo de transistor: transistor de potência MOSFET . Corrente máxima de drenagem: 13A. Potência: 150W. Número de terminais: 3. Spec info: Capacidade dv/dt EXTREMAMENTE ALTA . Proteção GS: sim
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Transistor de canal N, 6A, 16A, 500uA, 0.4 Ohms, TO-247, TO-247AC, 600V. DI (T=100°C): 6A. DI (T=25°C): 16A. Idss (máx.): 500uA. On-resistência Rds On: 0.4 Ohms. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. Tensão Vds(máx.): 600V. C (pol.): 3900pF. Custo): 440pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 610 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Fast Switching, Dynamic dv/dt Rating. Id(im): 64A. IDss (min): 100uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 280W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 110 ns. Td(ligado): 19 ns. Tecnologia: Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS
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