Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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SPW17N80C3

SPW17N80C3
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SPW17N80C3. C (pol.): 2320pF. Custo): 1250pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 550 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Carga de porta ultra baixa com classificação extrema dv / dt . Id(im): 51A. DI (T=100°C): 11A. DI (T=25°C): 17A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 0.5uA. Marcação na caixa: 17N80C3. Pd (dissipação de energia, máx.): 208W. On-resistência Rds On: 0.29 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 77 ns. Td(ligado): 45 ns. Tecnologia: Cool Mos POWER transistor. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 800V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: sim. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 03:25.

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C (pol.): 2320pF. Custo): 1250pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Diodo Trr (mín.): 550 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Carga de porta ultra baixa com classificação extrema dv / dt . Id(im): 51A. DI (T=100°C): 11A. DI (T=25°C): 17A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 0.5uA. Marcação na caixa: 17N80C3. Pd (dissipação de energia, máx.): 208W. On-resistência Rds On: 0.25 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 77 ns. Td(ligado): 45 ns. Tecnologia: Cool Mos. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 800V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção GS: NINCS
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