Transistores

RoHS: sim. Família de componentes: Transistor IGBT. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Carcaça (padrão JEDEC): TO-220AB. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRG4BC40K. Tensão coletor-emissor Uce [V]: 600V. Corrente do coletor Ic [A]: 25A. Tempo de ativação ton [nseg.]: 30 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 140 ns. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 6V. Dissipação máxima Ptot [W]: 160W. Corrente máxima do coletor (A): 84A. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

RoHS: sim. Família de componentes: Transistor IGBT. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Carcaça (padrão JEDEC): TO-220AB. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRG4BC40S. Tensão coletor-emissor Uce [V]: 600V. Corrente do coletor Ic [A]: 60A. Tempo de ativação ton [nseg.]: 22 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 650 ns. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 6V. Dissipação máxima Ptot [W]: 160W. Corrente máxima do coletor (A): 60.4k Ohms. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

RoHS: sim. Família de componentes: Transistor IGBT. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Carcaça (padrão JEDEC): TO-220AB. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRG4BC40U. Tensão coletor-emissor Uce [V]: 600V. Corrente do coletor Ic [A]: 40A. Tempo de ativação ton [nseg.]: 34 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 110 ns. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 6V. Dissipação máxima Ptot [W]: 160W. Corrente máxima do coletor (A): 160A. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

RoHS: sim. Família de componentes: Transistor IGBT com diodo de roda livre de alta velocidade integrado . Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-247AC. Carcaça (padrão JEDEC): TO-247AC. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRG4PC30FD. Tensão coletor-emissor Uce [V]: 600V. Corrente do coletor Ic [A]: 31A. Tempo de ativação ton [nseg.]: 42 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 230 ns. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 6V. Dissipação máxima Ptot [W]: 100W. Corrente máxima do coletor (A): 60.4k Ohms. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

C (pol.): 920pF. Custo): 110pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 25. Diodo Trr (mín.): 42 ns. Corrente do coletor: 28A. Ic(pulso): 58A. Ic(T=100°C): 16A. Pd (dissipação de energia, máx.): 100W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 160 ns. Td(ligado): 60 ns. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247 ( AC ). Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 2.21V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2.7V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 3V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 6V. Número de terminais: 3. Spec info: Transistor IGBT ultrarrápido. Diodo CE: sim. Diodo de germânio: NINCS

RoHS: sim. Família de componentes: Transistor IGBT com diodo de roda livre de alta velocidade integrado . Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-247AC. Carcaça (padrão JEDEC): TO-247AC. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRG4PC30KD. Tensão coletor-emissor Uce [V]: 600V. Corrente do coletor Ic [A]: 28A. Tempo de ativação ton [nseg.]: 60 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 160 ns. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 6V. Dissipação máxima Ptot [W]: 100W. Corrente máxima do coletor (A): 58A. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

RoHS: sim. Família de componentes: Transistor IGBT. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-247AC. Carcaça (padrão JEDEC): TO-247AC. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRG4PC30S. Tensão coletor-emissor Uce [V]: 600V. Corrente do coletor Ic [A]: 34A. Tempo de ativação ton [nseg.]: 22 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 540 ns. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 6V. Dissipação máxima Ptot [W]: 100W. Corrente máxima do coletor (A): 68A. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

C (pol.): 1100pF. Custo): 73pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 25. Diodo Trr (mín.): 42 ns. Função: ULTRA FAST. Corrente do coletor: 23A. Ic(pulso): 92A. DI (T=100°C): 12A. Marcação na caixa: IRG4PC30UD. Pd (dissipação de energia, máx.): 100W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 91 ns. Td(ligado): 40 ns. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247 ( AC ). Temperatura operacional: -40...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 1.95V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 3V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 6V. Número de terminais: 3. Diodo CE: sim. Diodo de germânio: NINCS

RoHS: sim. Família de componentes: Transistor IGBT com diodo de roda livre de alta velocidade integrado . Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-247AC. Carcaça (padrão JEDEC): TO-247AC. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRG4PC30UD. Tensão coletor-emissor Uce [V]: 600V. Corrente do coletor Ic [A]: 23A. Tempo de ativação ton [nseg.]: 40 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 91 ns. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 6V. Dissipação máxima Ptot [W]: 100W. Corrente máxima do coletor (A): 92A. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

C (pol.): 2200pF. Custo): 140pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: TO-247AC. Unidade de condicionamento: montagem através de furo PCB. Diodo Trr (mín.): 42 ns. Corrente do coletor: 49A. Ic(pulso): 84A. Ic(T=100°C): 27A. Marcação na caixa: 230 ns. Pd (dissipação de energia, máx.): 160W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 230 ns. Td(ligado): 63 ns. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247 ( AC ). Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 1.85V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 3V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 6V. Número de terminais: 3. Função: Ultra rápido, para altas frequências operacionais de 8 a 40 kHz. Diodo CE: sim. Diodo de germânio: NINCS

C (pol.): 1600pF. Custo): 130pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 25. Corrente do coletor: 42A. Ic(pulso): 84A. Ic(T=100°C): 25A. Marcação na caixa: G4PC40K. Pd (dissipação de energia, máx.): 160W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 140 ns. Td(ligado): 30 ns. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247 ( AC ). Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 2.1V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2.7V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 3V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 6V. Número de terminais: 3. Spec info: transistor bipolar de porta isolada (IGBT). Função: Ultra rápido, para altas frequências operacionais de 8 a 40 kHz. Diodo CE: NINCS. Diodo de germânio: NINCS

C (pol.): 1600pF. Custo): 130pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 42 ns. Corrente do coletor: 42A. Ic(pulso): 84A. Ic(T=100°C): 25A. Pd (dissipação de energia, máx.): 160W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 110 ns. Td(ligado): 53 ns. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247 ( AC ). Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 2.1V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2.6V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 3V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 6V. Número de terminais: 3. Função: Ultra rápido, para altas frequências operacionais de 8 a 40 kHz. Diodo CE: sim. Diodo de germânio: NINCS

RoHS: sim. Família de componentes: Transistor IGBT com diodo de roda livre de alta velocidade integrado . Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-247AC. Carcaça (padrão JEDEC): TO-247AC. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRG4PC40KD. Tensão coletor-emissor Uce [V]: 600V. Corrente do coletor Ic [A]: 42A. Tempo de ativação ton [nseg.]: 53 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 110 ns. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 6V. Dissipação máxima Ptot [W]: 160W. Corrente máxima do coletor (A): 84A. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

RoHS: sim. Família de componentes: Transistor IGBT. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-247AC. Carcaça (padrão JEDEC): TO-247AC. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRG4PC40K. Tensão coletor-emissor Uce [V]: 600V. Corrente do coletor Ic [A]: 42A. Tempo de ativação ton [nseg.]: 30 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 140 ns. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 6V. Dissipação máxima Ptot [W]: 160W. Corrente máxima do coletor (A): 84A. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

C (pol.): 2100pF. Custo): 140pF. Tipo de canal: N. Corrente do coletor: 40A. Ic(pulso): 160A. Ic(T=100°C): 20A. Pd (dissipação de energia, máx.): 160W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 110 ns. Td(ligado): 34 ns. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247 ( AC ). Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 1.72V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 3V. Número de terminais: 3. Função: Ultra rápido, para altas frequências operacionais de 8 a 40 kHz. Diodo CE: NINCS. Diodo de germânio: NINCS

RoHS: sim. Família de componentes: Transistor IGBT com diodo de roda livre de alta velocidade integrado . Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-247AC. Carcaça (padrão JEDEC): TO-247AC. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRG4PC40UD. Tensão coletor-emissor Uce [V]: 600V. Corrente do coletor Ic [A]: 40A. Tempo de ativação ton [nseg.]: 54 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 110 ns. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 6V. Dissipação máxima Ptot [W]: 160W. Corrente máxima do coletor (A): 160A. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

C (pol.): 1900pF. Custo): 140pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 30. Corrente do coletor: 40A. Ic(pulso): 160A. Ic(T=100°C): 20A. Pd (dissipação de energia, máx.): 160W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 100 ns. Td(ligado): 27 ns. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247 ( AC ). Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 2.05V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 3V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 6V. Número de terminais: 3. Diodo CE: NINCS. Diodo de germânio: NINCS

RoHS: sim. Família de componentes: Transistor IGBT. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-247AC. Carcaça (padrão JEDEC): TO-247AC. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRG4PC40W. Tensão coletor-emissor Uce [V]: 600V. Corrente do coletor Ic [A]: 40A. Tempo de ativação ton [nseg.]: 27 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 100 ns. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 6V. Dissipação máxima Ptot [W]: 160W. Corrente máxima do coletor (A): 160A. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

RoHS: sim. Família de componentes: Transistor IGBT com diodo de roda livre de alta velocidade integrado . Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-247AC. Carcaça (padrão JEDEC): TO-247AC. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRG4PC50FD. Tensão coletor-emissor Uce [V]: 600V. Corrente do coletor Ic [A]: 70A. Tempo de ativação ton [nseg.]: 55 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 240 ns. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 6V. Dissipação máxima Ptot [W]: 200W. Corrente máxima do coletor (A): 280A. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

RoHS: sim. Família de componentes: Transistor IGBT. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-247AC. Carcaça (padrão JEDEC): TO-247AC. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRG4PC50F. Tensão coletor-emissor Uce [V]: 600V. Corrente do coletor Ic [A]: 70A. Tempo de ativação ton [nseg.]: 31 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 240 ns. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 6V. Dissipação máxima Ptot [W]: 200W. Corrente máxima do coletor (A): 280A. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

RoHS: sim. Família de componentes: Transistor IGBT com diodo de roda livre de alta velocidade integrado . Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-247AC. Carcaça (padrão JEDEC): TO-247AC. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRG4PC50KD. Tensão coletor-emissor Uce [V]: 600V. Corrente do coletor Ic [A]: 52A. Tempo de ativação ton [nseg.]: 63 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 150 ns. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 6V. Dissipação máxima Ptot [W]: 200W. Corrente máxima do coletor (A): 104A. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

C (pol.): 3700pF. Custo): 260pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Corrente do coletor: 55A. Ic(pulso): 220A. Ic(T=100°C): 27A. Pd (dissipação de energia, máx.): 200W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 120ns. Td(ligado): 46 ns. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247 ( AC ). Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 1.93V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2.3V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 3V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 6V. Número de terminais: 3. Unidade de condicionamento: 25. Diodo CE: NINCS. Diodo de germânio: NINCS

C (pol.): 6050pF. Tipo de canal: N. Função: IGBT de velocidade rápida . Corrente do coletor: 90A. Ic(pulso): 360A. Ic(T=100°C): 60A. Pd (dissipação de energia, máx.): 520W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 310 ns. Td(ligado): 42 ns. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247 ( AC ). Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 1.5V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1.8V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 3V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 6V. Número de terminais: 3. Custo): 360pF. Diodo CE: NINCS. Diodo de germânio: NINCS

RoHS: sim. Família de componentes: Transistor IGBT. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-247AC. Carcaça (padrão JEDEC): TO-247AC. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRG4PF50W. Tensão coletor-emissor Uce [V]: 900V. Corrente do coletor Ic [A]: 51A. Tempo de ativação ton [nseg.]: 29 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 110 ns. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 6V. Dissipação máxima Ptot [W]: 200W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 110 ns. Td(ligado): 29 ns. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247 ( AC ). Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 2.25V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2.7V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 900V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 3V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 6V. Corrente máxima do coletor (A): 204A. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

RoHS: sim. Família de componentes: Transistor IGBT com diodo de roda livre de alta velocidade integrado . Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-247AC. Carcaça (padrão JEDEC): TO-247AC. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRG4PH20KD. Tensão coletor-emissor Uce [V]: 1.2 kV. Corrente do coletor Ic [A]: 11A. Tempo de ativação ton [nseg.]: 50 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 100 ns. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 6.5V. Dissipação máxima Ptot [W]: 60W. Corrente máxima do coletor (A): 22A. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C