IRG4PC30KD

IRG4PC30KD. C (pol.): 920pF. Custo): 110pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 25. Diodo Trr (mín.): 42 ns. Corrente do coletor: 28A. Ic(pulso): 58A. Ic(T=100°C): 16A. Pd (dissipação de energia, máx.): 100W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 160 ns. Td(ligado): 60 ns. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247 ( AC ). Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 2.21V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2.7V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 3V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 6V. Número de terminais: 3. Spec info: Transistor IGBT ultrarrápido. Diodo CE: sim. Diodo de germânio: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 16/01/2025, 07:25.