IRL2203N

IRL2203N. C (pol.): 3290pF. Custo): 1270pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 56 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Fast Switching, Dynamic dv/dt Rating. Id(im): 400A. DI (T=100°C): 60A. DI (T=25°C): 116A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 180W. On-resistência Rds On: 0.07 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 23 ns. Td(ligado): 11 ns. Tecnologia: HEXFET® Power MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 30 v. Tensão porta/fonte Vgs: 16V. Vgs(th) mín.: 1V. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 06:25.