Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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Semicondutores Transistores FETs e MOSFETs de canal N

Transistor de canal N, 5.7A, 9A, 9A, 0.4 Ohms, TO-220, TO-220A, 200V - IRL630

Transistor de canal N, 5.7A, 9A, 9A, 0.4 Ohms, TO-220, TO-220A, 200V - IRL630
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5 - 9 1.57€ 1.93€
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Transistor de canal N, 5.7A, 9A, 9A, 0.4 Ohms, TO-220, TO-220A, 200V - IRL630. Transistor de canal N, 5.7A, 9A, 9A, 0.4 Ohms, TO-220, TO-220A, 200V. DI (T=100°C): 5.7A. DI (T=25°C): 9A. Idss (máx.): 9A. On-resistência Rds On: 0.4 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220A. Tensão Vds(máx.): 200V. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Pd (dissipação de energia, máx.): 74W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: V-MOS. Quantidade em estoque atualizada em 22/04/2025, 20:25.

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IRL630A

IRL630A

Transistor de canal N, 5.7A, 9A, 9A, 0.4 Ohms, TO-220, TO-220A, 200V. DI (T=100°C): 5.7A. DI (T=25...
IRL630A
Transistor de canal N, 5.7A, 9A, 9A, 0.4 Ohms, TO-220, TO-220A, 200V. DI (T=100°C): 5.7A. DI (T=25°C): 9A. Idss (máx.): 9A. On-resistência Rds On: 0.4 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220A. Tensão Vds(máx.): 200V. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Pd (dissipação de energia, máx.): 69W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: V-MOS
IRL630A
Transistor de canal N, 5.7A, 9A, 9A, 0.4 Ohms, TO-220, TO-220A, 200V. DI (T=100°C): 5.7A. DI (T=25°C): 9A. Idss (máx.): 9A. On-resistência Rds On: 0.4 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220A. Tensão Vds(máx.): 200V. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Pd (dissipação de energia, máx.): 69W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: V-MOS
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