Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos

IRL630A

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IRL630A. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. DI (T=100°C): 5.7A. DI (T=25°C): 9A. Idss (máx.): 9A. Pd (dissipação de energia, máx.): 69W. On-resistência Rds On: 0.4 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: V-MOS. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220A. Tensão Vds(máx.): 200V. Quantidade em estoque atualizada em 16/01/2025, 05:25.

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Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. DI (T=100°C): 5.7A. DI (T=25°C): 9A. Idss (máx.): 9A. Pd (dissipação de energia, máx.): 74W. On-resistência Rds On: 0.4 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: V-MOS. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220A. Tensão Vds(máx.): 200V
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Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. DI (T=100°C): 5.7A. DI (T=25°C): 9A. Idss (máx.): 9A. Pd (dissipação de energia, máx.): 74W. On-resistência Rds On: 0.4 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: V-MOS. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220A. Tensão Vds(máx.): 200V
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