Transistor de canal N, 2A, 3.1A, 500uA, 5 Ohms, TO-220, TO-220AB, 1000V - IRFBG30

Transistor de canal N, 2A, 3.1A, 500uA, 5 Ohms, TO-220, TO-220AB, 1000V - IRFBG30. Transistor de canal N, 2A, 3.1A, 500uA, 5 Ohms, TO-220, TO-220AB, 1000V. DI (T=100°C): 2A. DI (T=25°C): 3.1A. Idss (máx.): 500uA. On-resistência Rds On: 5 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 1000V. C (pol.): 980pF. Custo): 140pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 410 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Dynamic dv/dt Rating. Id(im): 12A. IDss (min): 100uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 89 ns. Td(ligado): 12 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 22/04/2025, 20:25.