Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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IRL640A

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IRL640A. Tipo de canal: N. On-resistência Rds On: 0.18 Ohms. Carcaça: TO-220. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. DI (T=25°C): 18A. Idss (máx.): 18A. Pd (dissipação de energia, máx.): 110W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: V-MOS. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 200V. Quantidade em estoque atualizada em 16/01/2025, 05:25.

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C (pol.): 1800pF. Custo): 480pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 310 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 68A. DI (T=100°C): 11A. DI (T=25°C): 17A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. On-resistência Rds On: 0.18 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 44 ns. Td(ligado): 8 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 200V. Tensão porta/fonte Vgs: 10V. Vgs(th) máx.: 2V. Vgs(th) mín.: 1V. Proteção GS: NINCS
IRL640
C (pol.): 1800pF. Custo): 480pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 310 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 68A. DI (T=100°C): 11A. DI (T=25°C): 17A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. On-resistência Rds On: 0.18 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 44 ns. Td(ligado): 8 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 200V. Tensão porta/fonte Vgs: 10V. Vgs(th) máx.: 2V. Vgs(th) mín.: 1V. Proteção GS: NINCS
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