Transistores

C (pol.): 85pF. Custo): 34pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 26 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Ultra Low On-Resistance. Id(im): 7.3A. DI (T=100°C): 0.93A. DI (T=25°C): 1.2A. Idss (máx.): 25uA. IDss (min): 1uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 540mW. On-resistência Rds On: 0.025 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 9 ns. Td(ligado): 3.9 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ). Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 30 v. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 1V. Proteção GS: NINCS

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: B. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1.2A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.25 Ohms @ 0.91A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 3V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 3.9 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 9 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 85pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.54W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1.2A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.25 Ohms @ 0.91A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 3V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 3.9 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 9 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 85pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.54W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: D. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.76A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1 Ohms @ -0.3A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -3V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 10 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 23 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 75pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.54W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

C (pol.): 510pF. Custo): 71pF. Tipo de canal: P. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 17 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Ultra Low On-Resistance. Id(im): 24A. DI (T=100°C): 2.4A. DI (T=25°C): 3A. Idss (máx.): 5uA. IDss (min): 1uA. Nota: serigrafia/código SMD H. Marcação na caixa: H. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 1.25W. On-resistência Rds On: 0.098 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 52 ns. Td(ligado): 18 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ). Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 30 v. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 2.5V. Vgs(th) mín.: 1V. Proteção GS: NINCS

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -3A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.165 Ohms @ -2.6A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -2.5V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 350 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 12 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 88pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 1.25W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: C. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.62A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.6 Ohms @ -0.61A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -1.5V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 13 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 22 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 97pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.54W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.028 Ohms @ 5A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 1.1V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 4.2 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 22 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 650pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 1.3W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

C (pol.): 633pF. Custo): 145pF. Tipo de canal: P. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Ultra Low On-Resistance. Id(im): 22A. DI (T=100°C): 2.2A. DI (T=25°C): 3.7A. Idss (máx.): 25uA. IDss (min): 1uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 1.3W. On-resistência Rds On: 0.05 Ohms. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 588 ns. Td(ligado): 350 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ). Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 20V. Vgs(th) máx.: 1.2V. Vgs(th) mín.: 0.4V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -3.7A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.135 Ohms @ -3.1A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -1.2V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 350 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 588 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 633pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 1.3W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23/6. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 6. Marcação do fabricante: 2E. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -5.6A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.05 Ohms @ -5.1A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -1.2V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 12 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 70 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 1079pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 1.3W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

C (pol.): 480pF. Custo): 130pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 60 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 72A. DI (T=100°C): 12A. DI (T=25°C): 17A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Equivalentes: IRLR024NPBF. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 45W. On-resistência Rds On: 0.065 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 20 ns. Td(ligado): 7.1 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 5V. Tensão porta/fonte Vgs: 16V. Vgs(th) máx.: 2V. Vgs(th) mín.: 1V. Spec info: Controle de portão por nível lógico . Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Série de produtos: HEXFET. Polaridade: MOSFET N. Vdss (dreno para tensão da fonte): 55V. Id @ Tc=25°C (corrente de drenagem contínua): 17A. Tensão porta/fonte Vgs: 110m Ohms / 9A / 4V. Tensão porta/fonte Vgs max: -16V. Max: 45W. Carcaça: DPAK. Tipo de montagem: SMD

C (pol.): 440pF. Custo): 97pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 110 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 35A. DI (T=100°C): 7A. DI (T=25°C): 10A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Equivalentes: IRLR120NTRPBF. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 48W. On-resistência Rds On: 0.185 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 23 ns. Td(ligado): 4 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 100V. Tensão porta/fonte Vgs: 16V. Vgs(th) máx.: 2V. Vgs(th) mín.: 1V. Spec info: Controle de portão por nível lógico . Proteção GS: NINCS

C (pol.): 880pF. Custo): 220pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 75. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 76 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 110A. DI (T=100°C): 20A. DI (T=25°C): 28A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 68W. On-resistência Rds On: 0.04 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 21 ns. Td(ligado): 8.9 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 55V. Tensão porta/fonte Vgs: 16V. Vgs(th) máx.: 2V. Vgs(th) mín.: 1V. Função: Unidade de porta de nível lógico, comutação rápida. Spec info: baixa resistência R-on 0,040 Ohms. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 1700pF. Custo): 400pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: rolo. Unidade de condicionamento: 2000. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 80 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 160A. DI (T=100°C): 30A. DI (T=25°C): 42A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 110W. On-resistência Rds On: 0.027 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 26 ns. Td(ligado): 11 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 55V. Tensão porta/fonte Vgs: 16V. Vgs(th) máx.: 2V. Vgs(th) mín.: 1V. Spec info: Controle de portão por nível lógico . Função: Resistência ultrabaixa, comutação rápida. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: D-PAK. Carcaça (padrão JEDEC): TO-252. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRLR2905PBF. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 42A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.027 Ohms @ 42A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 2V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 11 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 26 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 1700pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 110W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

C (pol.): 1570pF. Custo): 230pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 22ms. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Controle de portão por nível lógico . Id(im): 240A. DI (T=100°C): 43A. DI (T=25°C): 42A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 20uA. Equivalentes: IRLR2905ZTRPBF. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 110W. On-resistência Rds On: 11m Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 24 ns. Td(ligado): 14 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 55V. Tensão porta/fonte Vgs: 16V. Vgs(th) máx.: 3V. Vgs(th) mín.: 1V. Spec info: AUTOMOTIVE MOSFET. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 3980pF. Custo): 170pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 34-51 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 250A. DI (T=100°C): 45A. DI (T=25°C): 42A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Equivalentes: IRLR3110ZPbF. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 79W. On-resistência Rds On: 0.105 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 30 ns. Td(ligado): 7.2 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 100V. Tensão porta/fonte Vgs: ±16. Vgs(th) máx.: 2.5V. Vgs(th) mín.: 1V. Spec info: Ultra Low On-Resistance. Função: Resistência ultrabaixa, comutação rápida. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 800pF. Custo): 160pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 140 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 60A. DI (T=100°C): 12A. DI (T=25°C): 17A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 79W. On-resistência Rds On: 0.105 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 30 ns. Td(ligado): 7.2 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 100V. Tensão porta/fonte Vgs: 16V. Vgs(th) máx.: 2V. Vgs(th) mín.: 1V. Spec info: Controle de portão por nível lógico . Função: Resistência ultrabaixa, comutação rápida. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: D-PAK. Carcaça (padrão JEDEC): TO-252. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: LR3410. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 17A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.105 Ohms @ 10A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 2V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 7.2 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 30 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 800pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 97W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

C (pol.): 2900pF. Custo): 420pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 21ms. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Controle de portão por nível lógico . Id(im): 360A. DI (T=100°C): 63A. DI (T=25°C): 89A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 20uA. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 130W. On-resistência Rds On: 6.5m Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 33 ns. Td(ligado): 17 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 55V. Tensão porta/fonte Vgs: 16V. Vgs(th) máx.: 3V. Vgs(th) mín.: 1V. Spec info: AUTOMOTIVE MOSFET. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 4380pF. Custo): 940pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: rolo. Unidade de condicionamento: 2000. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 39 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 620A. DI (T=100°C): 113A. DI (T=25°C): 161A. Idss (máx.): 150uA. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: LR7843. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 140W. On-resistência Rds On: 2.6m Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 34 ns. Td(ligado): 25 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 30 v. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 2.3V. Vgs(th) mín.: 1.5V. Função: RDS muito baixo (ligado) em 4,5 V VGS, impedância de porta ultrabaixa. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 1030pF. Custo): 350pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 17 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 260A. DI (T=100°C): 46A. DI (T=25°C): 65A. Idss (máx.): 150uA. IDss (min): 1uA. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 65W. On-resistência Rds On: 6.3m Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 9.4 ns. Td(ligado): 8.8 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 30 v. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 2.35V. Vgs(th) mín.: 1.35V. Spec info: Impedância de porta ultrabaixa. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 2150pF. Custo): 480pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 24 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 340A. DI (T=100°C): 61A. DI (T=25°C): 86A. Idss (máx.): 150uA. IDss (min): 1uA. Equivalentes: IRLR8726PBF, IRLR8726TRLPBF. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 75W. On-resistência Rds On: 4m Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 15 ns. Td(ligado): 12 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 30 v. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 2.35V. Vgs(th) mín.: 1.35V. Spec info: Impedância de porta ultrabaixa. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS