IRLR120N

IRLR120N. C (pol.): 440pF. Custo): 97pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 110 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 35A. DI (T=100°C): 7A. DI (T=25°C): 10A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Equivalentes: IRLR120NTRPBF. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 48W. On-resistência Rds On: 0.185 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 23 ns. Td(ligado): 4 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 100V. Tensão porta/fonte Vgs: 16V. Vgs(th) máx.: 2V. Vgs(th) mín.: 1V. Spec info: Controle de portão por nível lógico . Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 16/01/2025, 01:25.