IRLR8721

IRLR8721. C (pol.): 1030pF. Custo): 350pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 17 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 260A. DI (T=100°C): 46A. DI (T=25°C): 65A. Idss (máx.): 150uA. IDss (min): 1uA. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 65W. On-resistência Rds On: 6.3m Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 9.4 ns. Td(ligado): 8.8 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 30 v. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 2.35V. Vgs(th) mín.: 1.35V. Spec info: Impedância de porta ultrabaixa. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 14/01/2025, 11:25.