IRLR2705

IRLR2705. C (pol.): 880pF. Custo): 220pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 75. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 76 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 110A. DI (T=100°C): 20A. DI (T=25°C): 28A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 68W. On-resistência Rds On: 0.04 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 21 ns. Td(ligado): 8.9 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 55V. Tensão porta/fonte Vgs: 16V. Vgs(th) máx.: 2V. Vgs(th) mín.: 1V. Função: Unidade de porta de nível lógico, comutação rápida. Spec info: baixa resistência R-on 0,040 Ohms. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 06:25.