IRLR3110ZPBF

IRLR3110ZPBF. C (pol.): 3980pF. Custo): 170pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 34-51 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 250A. DI (T=100°C): 45A. DI (T=25°C): 42A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Equivalentes: IRLR3110ZPbF. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 79W. On-resistência Rds On: 0.105 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 30 ns. Td(ligado): 7.2 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 100V. Tensão porta/fonte Vgs: ±16. Vgs(th) máx.: 2.5V. Vgs(th) mín.: 1V. Spec info: Ultra Low On-Resistance. Função: Resistência ultrabaixa, comutação rápida. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 16/01/2025, 01:25.