IRLML2803

IRLML2803. C (pol.): 85pF. Custo): 34pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 26 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Ultra Low On-Resistance. Id(im): 7.3A. DI (T=100°C): 0.93A. DI (T=25°C): 1.2A. Idss (máx.): 25uA. IDss (min): 1uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 540mW. On-resistência Rds On: 0.025 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 9 ns. Td(ligado): 3.9 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ). Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 30 v. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 1V. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 16/01/2025, 01:25.