Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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IRLR7843

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IRLR7843. C (pol.): 4380pF. Custo): 940pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: rolo. Unidade de condicionamento: 2000. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 39 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 620A. DI (T=100°C): 113A. DI (T=25°C): 161A. Idss (máx.): 150uA. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: LR7843. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 140W. On-resistência Rds On: 2.6m Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 34 ns. Td(ligado): 25 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 30 v. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 2.3V. Vgs(th) mín.: 1.5V. Função: RDS muito baixo (ligado) em 4,5 V VGS, impedância de porta ultrabaixa. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 19:25.

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C (pol.): 4880pF. Custo): 950pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 18 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Controle de portão por nível lógico . Id(im): 640A. DI (T=100°C): 113A. DI (T=25°C): 160A. Idss (máx.): 150uA. IDss (min): 1uA. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 135W. On-resistência Rds On: 2.4M Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 21 ns. Td(ligado): 19 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 30 v. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 2.35V. Vgs(th) mín.: 1.35V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS
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