Transistor de canal N, 113A, 161A, 150uA, 2.6m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 30 v - IRLR7843

Transistor de canal N, 113A, 161A, 150uA, 2.6m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 30 v - IRLR7843. Transistor de canal N, 113A, 161A, 150uA, 2.6m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 30 v. DI (T=100°C): 113A. DI (T=25°C): 161A. Idss (máx.): 150uA. On-resistência Rds On: 2.6m Ohms. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Tensão Vds(máx.): 30 v. C (pol.): 4380pF. Custo): 940pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: rolo. Unidade de condicionamento: 2000. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 39 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 620A. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: LR7843. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 140W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 34 ns. Td(ligado): 25 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 2.3V. Vgs(th) mín.: 1.5V. Função: RDS muito baixo (ligado) em 4,5 V VGS, impedância de porta ultrabaixa. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 22/04/2025, 20:25.