IRLB8721

IRLB8721. C (pol.): 1077pF. Custo): 360pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 16 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 250A. DI (T=100°C): 45A. DI (T=25°C): 64A. Idss (máx.): 150uA. IDss (min): 1uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 65W. On-resistência Rds On: 0.0065 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 9 ns. Td(ligado): 9.1ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 30 v. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 2.35V. Vgs(th) mín.: 1.35V. Função: Resistência ultrabaixa, comutação rápida. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 16/01/2025, 05:25.