IRLD024

IRLD024. C (pol.): 870pF. Custo): 360pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 110 ns. Diversos: Dynamic dv/dt Rating. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 20A. DI (T=100°C): 1.8A. DI (T=25°C): 2.5A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 4. Pd (dissipação de energia, máx.): 1.3W. On-resistência Rds On: 0.10 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 23 ns. Td(ligado): 11 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: DIP. Habitação (conforme ficha técnica): HVMDIP ( DIP-4 ). Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 60V. Tensão porta/fonte Vgs: 10V. Vgs(th) máx.: 2V. Vgs(th) mín.: 1V. Função: Comutação rápida, unidade de porta de nível lógico. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 16/01/2025, 05:25.