IRLD024PBF

IRLD024PBF. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: DIP4. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 4. Marcação do fabricante: IRLD024PBF. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 2.5A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ 1.5A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 2V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 11 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 23 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 870pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 1.3W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C. Quantidade em estoque atualizada em 16/01/2025, 05:25.