IXFH26N50Q

IXFH26N50Q. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-247AD. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IXFH26N50. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 26A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ 13A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4.5V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 16 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 65 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 4200pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 300W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Quantidade em estoque atualizada em 16/01/2025, 01:25.